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冈本OKAMOTO全自动晶圆背面减薄机研磨机GNX200 Back grinding
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冈本OKAMOTO全自动晶圆背面减薄机研磨机GNX200 Back grinding

1.研削加工技术:日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。2.机械精度的调整方法:通过主轴进行调整(******)3.标准驱动方式:齿轴+定位销进行定位,长年使用也不会发生位移。4.标准润滑方式:润滑油及防护罩5.设备刚性:高刚性,部件由冈本自产铸金一体化生产。

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    上海 上海 长宁区 延安西路726号华敏翰尊国际大厦22K
加工定制:是品牌:OKAMOTO型号:GNX200B
用途:晶圆背面研削减薄别名:Back grinding规格:4”、5”、6”、8”





设备特点:

1.研削加工技术:日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。

2.机械精度的调整方法:通过主轴进行调整(******),因为可进行原点定位,所以精度调整相当容易;可2处调节。

3.标准驱动方式:齿轴+定位销进行定位,长年使用也不会发生位移。

4. 标准润滑方式:润滑油及防护罩,防止进入异物造成磨损。

5.  设备刚性:高刚性,不会因老化造成精度变化,部件由冈本自产铸金一体化生产。

设备指标:

1.  晶圆尺寸:        4”、5”、6”、8” 晶圆厚度:        1000μm

2. 研磨方法        向下进给式研磨        在线测量厚度控制        

3. 操作方法        全自动、半自动、手动   

4. 研磨轴单元        轴的数量        2个(粗磨和精磨)轴的转速:  0-3600 RPM     轴承: 气悬浮轴承 AB 150R(Carbon graphite)   轴承冷却方式:   气冷(水冷可选) 轴承驱动电机:  2.2KW,4P   轴承行程:   150mm  轴承快速进给:   200mm/min    轴承进给速率: 1999μm/min  轴的进给电机:200W,交流伺服电机  可装研磨轮:250mm dia       负载显示:监控操作面板        研磨轮修整:半自动       主轴角度调整:电动主轴角度调整可作为选择项               

5.   步进转位工作盘       轴承:静***承(油膜)        驱动电机: 0.4KW,交流伺服电机

6. 工件主轴        轴承  机械式轴承(可选空***承)        驱动电机:   0.75KW,交流伺服电机        

7. 真空吸附台        数量: 3个        尺寸:  4-8寸兼容        材质:多孔陶瓷        转速:300rpm       修磨速度设定: 0-300rpm     工作台清洗方法: 去离子水和陶瓷环               

8.     晶圆清洗方法        去离子水及毛刷清洗        甩干及空气吹干               

9.     精度调整方法        通过主轴调整                       

10.    自动测定设备        晶圆厚度测量系统:        在线式双探针

        晶圆厚度显示范围:        999um

        晶圆厚度分辨率:        0.1um               

11.   晶圆传输系统        片盒数量:        2个

        晶圆搬送系统:        1个机器人作为上片手臂及下片手臂

        寻址:        机械臂返回晶圆到位置可编程             

12.  操作面板        主控制面板:        17寸,显示研削条件,操作输入;显示系统功能条件,监控空气压力,电流,水流量等

        分控制面板:        厚度控制显示            

13. 设备尺寸及重量        尺寸:        1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H)

        重量:        3900 Kg              

14. 真空泵单元        型号:        Kashiyama Industry LEM40U-1

     功率:        1.5KW

     压力:        40 Torr (5.3 x 103 Pa)

     排气速度:        40 m3/hour

     转速:        3500 rpm

      水流量:        5 升/分                

15.   工艺指标        片内厚度差(TTV):        ≤1.5μm

        片间厚度差(WTW)        ≤±2μm

        粗糙度(Ry):        ≤0.13 μm(2000#磨轮)

        注:以8寸Si wafer为例,不带保护膜情况


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